وصف
وحدة توسيع الذاكرة TSX SRAM من شنايدر إلكتريك
تم تكوين وحدة توسيع الذاكرة TSX SRAM من شنايدر إلكتريك (وحدة الملحقات SRAM لوحدة توسيع الذاكرة TSX SRAM) لتوسيع ذاكرة التطبيقات والملفات في بيئات معالجات Modicon Premium، وتوفر تنفيذًا مباشرًا لتوسيع الذاكرة المادية داخل منصات التحكم TSX570 إلى TSX576.
توضيح اللاحقة ومصفوفة النموذج
لا يوجد تفكيك صريح لللاحقة محدد في الوثائق المقدمة. يُشار إلى الوحدة كملحق قابل للتكوين لتوسيع ذاكرة تطبيق/ملف SRAM لمعالجات Modicon Premium.
المواصفات الفنية للأجهزة
| المعلمة |
المواصفات |
| النموذج |
وحدة توسيع الذاكرة TSX SRAM |
| العلامة التجارية |
شنايدر إلكتريك |
| الوزن |
0.076 كجم (0.17 رطل أمريكي) |
| نوع الذاكرة |
SRAM |
| سعة ذاكرة التطبيقات |
192 كيلوبايت إلى 2048 كيلوبايت |
| سعة تخزين البيانات |
تصل إلى 1856 كيلوبايت (كبيانات نطاق محددة) |
| موضع الفتحة |
الفتحة 0 |
| المعالجات المتوافقة |
TSX570 إلى TSX576، TSX57C، TSXPCI572/3 |
واجهة ذاكرة اللوحة الخلفية وسلوك بنية Modicon Premium
تعمل ذاكرة توسيع TSX SRAM كمورد ذاكرة مثبت على فتحة مدمجة في بنية اللوحة الخلفية لـ Modicon Premium. يتم تنفيذ تعيين الذاكرة من خلال دورات اتصال اللوحة الخلفية المحددة، مما يضمن عنونة متسقة بين المعالج وكتلة توسيع SRAM.
يتم التعامل مع تحكيم ناقل اللوحة الخلفية على مستوى وحدة التحكم، حيث يتم تحديد زمن الوصول إلى SRAM بواسطة مزامنة دورة المعالج وجداول تخصيص ذاكرة البرامج الثابتة. تنطبق قيود توافق البرامج الثابتة اعتمادًا على جيل معالج TSX، خاصة في تنزيل التكوين وتسلسلات تحديث الذاكرة في وقت التشغيل عبر وحدات المعالجة المركزية من سلسلة TSX57C.
الأسئلة المتداولة
س: هل تدعم الوحدة الإدخال السريع في رفوف TSX Premium؟
ج: لا توجد عملية إدخال سريع محددة. يجب إجراء إدخال وحدة الذاكرة في ظل ظروف إيقاف التشغيل الخاضعة للتحكم لمنع تلف SRAM أثناء تهيئة تعيين العنوان.
س: كيف يتم تعيين الذاكرة بين مناطق تخزين التطبيقات والملفات؟
ج: يتم إدارة تخصيص الذاكرة بواسطة البرامج الثابتة لمعالج TSX، والتي تقسم SRAM إلى مناطق تخزين للتطبيقات والملفات أثناء التهيئة بناءً على معلمات التكوين.
س: هل يلزم مزامنة البرامج الثابتة بعد التثبيت؟
ج: نعم. يجب أن يعيد المعالج تهيئة جداول تعيين الذاكرة بعد التثبيت لضمان التعرف الصحيح على اللوحة الخلفية ومحاذاة عنوان SRAM.
إرشادات التثبيت الميداني
تأكد من عزل طاقة وحدة التحكم تمامًا قبل إدخال وحدة SRAM في الفتحة 0 من رف TSX. تحقق من أن الوحدة مثبتة بالكامل في موصل اللوحة الخلفية للحفاظ على استمرارية ناقل العنوان المستقرة. تجنب التفريغ الكهروستاتيكي أثناء المناولة باستخدام إجراءات حماية ESD المؤرضة.
لا تفرض الإدخال إذا تم اكتشاف مقاومة ميكانيكية، حيث قد يؤدي عدم محاذاة دبوس اللوحة الخلفية إلى فشل التعرف على الذاكرة. بعد التثبيت، قم بإجراء دورة طاقة كاملة لوحدة التحكم للسماح للبرامج الثابتة بإعادة تعيين جداول تخصيص SRAM.
